晶体管的主要参数及其测试

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一.二极管的主要参数及其测试
??1. 最大整流电流 IFM
??二极管在长期稳定工作时，允许流过的最大正向平均电流。在实际应用时工作电流必须小于 IFM 。
??2.最大反向工作电压 VRM
??在实际应用时所允许加在二极 管上的最大反向电压VRM 应小于反向击 穿电压。
??3.反向电流 IR
??二极管反向击穿以前的反向电流。 IR 越小，二极管单向导电性能越好。
??4. 交流电阻r
??二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应电流的变化量之比。
??IFM , VRM 通常由器件手册查得。 IR 、r可以用晶体管特性图示仪进行测量。 ??二.三极管的主要参数及其测试
??1.直流电流放大系数 ? (hfe)
??集电极直流电流ICQ与基极直流电流IBQ之比，即
(2-1-1)
??2. 交流电流放大系数 β (hfe)
??三极管在有信号输人时，集电极电流的变化量ΔIC与基极电流的变化量ΔIB之比，即

　　　　　　(2-1-2)
??3. 穿透电流ICEO
??基极b开路，集电极c与发射极e间加反向电压时的集电极电流。 硅管的ICEO在几微安以下。
??4. 反向击穿电压V(BR)CEO
??基极b开路,集电极c与发射极e间的反向击穿(ICEO上升时)电压。
??5. 集电极最大允许电流ICM
??β 下降到额定值的1/3时所允许的最大集电极电流。
??6.集电极最大允许功耗PCM
??集电结上允许损耗功率的最大值。
??V(BR)CEO,ICM,PCM 通常由器件手册查得。 β , β ,ICEO可以用晶体管特性图示仪进行测量。
??三 .场效应管的主要参数及其测试
??1.饱和漏电流IDSS
??当漏源电压VDS一定（lOV），栅源电压VGS=0时的漏极电流ID,即为IDSS。
??2. 夹断电压VP
??VDS一定（lOV）时，改变VGS使ID等于一个微小电流(50μA)，这时的VGS =VP。
??3.低频跨导gm
??表征场效应管放大能力的重要参数，即
　　　 (VGS＝l0V时) 　　(2-1-3)
??饱和漏电流IDSS，夹断电压VP可以用电流表和电压表测得。低频跨导gm可以用晶体管特性图示仪测得。

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